- bipolar transistor
- биполярный транзистор
Англо-русский словарь по вычислительной технике и информационным технологиям - 4-е изд.. Сергей Орлов .
Англо-русский словарь по вычислительной технике и информационным технологиям - 4-е изд.. Сергей Орлов .
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
bipolar transistor — dvipolis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar transistor vok. bipolarer Transistor, m; Bipolartransistor, m rus. биполярный транзистор, m pranc. transistor bipolaire, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolar transistor biasing — Bipolar transistor amplifiers must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are … Wikipedia
bipolar transistor amplifier — stiprintuvas su dvipoliu tranzistoriumi statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar amplifier; bipolar transistor amplifier vok. Bipolarverstärker, m rus. усилитель на биполярном транзисторе, m pranc. amplificateur à transistor… … Radioelektronikos terminų žodynas
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Heterojunction bipolar transistor — The heterojunction bipolar transistor (HBT) is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it that can… … Wikipedia
Heterostructure-emitter bipolar transistor — The Heterojunction emitter bipolar transistor (HEBT), is a somewhat unique arrangement with respect to emitter blocking of minority carriers. This is accomplished by using heterostructure confinement in the emitter, introducing an energy barrier… … Wikipedia
Heterojunction bipolar transistor — Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur.… … Deutsch Wikipedia
heterojunction bipolar transistor — įvairialytis dvipolis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterojunction bipolar transistor; heterostructure bipolar transistor vok. Bipolartransistor mit Heteroübergang, m; Heterojunction Bipolartransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas